优点：
1.砷化镓具有高迁移率，高饱合漂移速度
2.半绝缘砷化镓材料制成的器件寄生电容很小
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GaAs衬底
- 砷化镓（GaAs）是目前重要且成熟的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料之一，广泛应用于光电子和微电子领域。
砷化镓材料主要分为两类：半绝缘砷化镓材料和半导体砷化镓材料。半绝缘砷化镓材料主要制作MESFET、HEMT 和 HBT 结构的集成电路。主要用于雷达、微波及毫米波通信、超高速计算机及光纤通信等领域。半导体砷化镓材料主要应用于半导体激光器（LD）、半导体发光二极管（LED）、近红外激光器、量子阱大功率激光器和高效太阳能电池。
性能指标：
材料
砷化镓（GaAs）
结构
立方
熔点（℃）
1238
生长方法
LEC(液体封装提拉法)， VGF（布里奇曼/坩埚下降法）
晶格常数（nm）
0.5653
密度（g/cm3）
5.26
莫氏硬度（Mho）
4.5
折射率
3.25
介电常数(300K)
ε(┴)=12.4; ε(║)=10.6
热导率(W/cm.K)
0.46
热膨胀系数(10-6/K)
6.0
比热容J/g.K
0.326
德拜温度（K）
344
禁带宽度(eV)
1.43
寿命（ns）
10
-
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