优点：
1.高稳定性频域材料
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BGO单晶
锗酸铋Bi12GeO20晶体是制作窄带高稳定性SAW/BAW频域时域器件，高灵敏读写全系照相存储器，保密通讯数字信号和程序控制延迟线等器件的压电材料。
性能指标：
晶体
Bi12GeO20 (BGO)
晶系
Cubic, 23
熔点（℃）
930
密度（g/cm3）
9.2
硬度 (Mho)
4.5
透过波长范围（nm）
470 – 7500
透过率at 633 nm
67%
折射率 at 633 nm
2.55
介电常数
40
声光系数
r41 = 3.4 x 10-12 m/V
电阻系数
8 x 1011W-cm
耗损角正切
0.0035
-
LaAlO3衬底
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