优点：
1.红外光学衬底
2.半导体衬底
Ge衬底
- Ge锗单晶是制作半导体器件，红外光学器件，及太阳能电池衬底。
性能指标：
生长方法提拉法晶体结构立方晶格常数a=5.65754 Å密 度（g/cm3）
5.323熔点（℃）937.4掺杂物质不掺杂掺Sb掺Ga类型/NP电阻率＞35Ωcm0.01~10Ωcm0.01~10ΩcmEPD＜4×103∕cm2＜4×103∕cm2＜4×103∕cm2尺寸10x3，10x5，10x10，15x15，20x15，20x20Dia4",Dia3";Dia2”;或按照客户要求划片厚度0.5mm，1.0mm抛光单面或双面晶向<100>、<110>、<111>、±0.5º晶面定向精度±0.5° -
LaAlO3衬底
MgO衬底
BaTiO3衬底
SrTiO3衬底
KTaO3衬底
CdTe衬底
LSAT衬底
BGO单晶
MgAl2O4 衬底
LiAlO2 衬底
CZT 衬底
CdTe衬底
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