优点:
1.量分辨率高
2.密度大
3.无自辐射
4.无潮解
5.时间分辨率和空间分辨率好
6.余晖低,亮度高
在线咨询优点:
1.量分辨率高
2.密度大
3.无自辐射
4.无潮解
5.时间分辨率和空间分辨率好
6.余晖低,亮度高
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GAGG:Ce石榴石晶体是氧化物晶体中光输出最高的晶体,还具备能量分辨率高,密度大,无自辐射,无潮解等优点,由于良好的时间分辨率和空间分辨率,可以广泛用于集装箱检测安检,医疗SPECT,CT,3D 扫描以及各种辐射探测器。
性能指标:
晶系 |
立方晶系 |
有效原子序数 |
54 |
密度(g/cm3) |
6.6 |
硬度(Mho) |
8.0 |
折射率 |
1.9 |
光产额(photons/kev) |
55 |
能量分辨率 6x6x6mm |
6% |
衰减时间(ns) |
90 |
发射光波长(nm) |
530 |
抗辐射硬度(rad) |
105 |
1.类型: 线阵和二维阵列
产品特点:
针对不同材质的材料,我司可以提供尽量小的像素尺寸
最小的串扰
晶条于晶条和阵列与阵列和批次与批次之间的均一性控制
反射材料:TiO2/BaSO4/ESR/E60
隔断间距: 0.08, 0.1, 0.2, 0.3mm
性能测试包括,散点图,能谱图,均一性测试
2.锦虹提供不同材质的阵列来满足各种终端应用
性能指标
CsI(Tl)
GAGG
CdWO4
LYSO
LSO
BGO
GOS(Pr/Tb)
LaBr3
密度(g/cm3)
4.51
6.6
7.9
7.15
7.3~7.4
7.13
7.34
4.9
吸潮性
轻微
无
无
无
无
无
无
极易
相对光输出(%NaI(Tl)) γ-rays
45
158(HL)/ 132(BL)/79(FD)
32
65-75
75
15-20
71/ 118
130-170
衰减时间(ns)
1000
150(HL)/ 90(BL)/48(FD)
14000
38-42
40
300
3000/ 600000
20
余晖@30ms
0.6-0.8%
0.1-0.2%
0.1-0.2%
N/A
N/A
0.1-0.2%
0.1-0.2%
N/A
阵列规格
线阵和二维
线阵和二维
线阵和二维
二维
二维
二维
线阵和
二维
二维
我们可以提供包括 CsI(Tl), CsI(Na), CdWO4, LYSO,LSO, YSO, GAGG, BGO,LaBr3 等材质的阵列。根据应用和性能要求,我们可以提供基于TiO2/BaSO4/ESR/E60 的反射材料来做为封装隔断材料。我们的机加工可以实现最小像素的加工,最大限度的满足最优的性能指标和实现最小的串扰和均一性的控制。
3.各种材质的性能指标:
4. 阵列组装的加工设计
陶瓷
根据不同的最终用途和客户对不同的考量,锦虹提供多种设计方案和设计来满足和服务于医疗,工业无损探伤和安检市场。
对低能X射线检测的安检行业,我司提供CsI(Tl), GOS, GAGG, CdWO4等闪烁体的线性阵列,我们可以提供P1.575, P2.5等不同间距和不同厚度的线阵。我司提供的线阵对闪烁体的均一性,发光效率等经过严格品控,像素和像素间,阵列与阵列间,批次与批次间的均一性严格的品控。
对于医疗ToF-PET, SPECT, CT,小动物和脑部PET扫描领域,我司可以提供LYSO, CsI(Tl), LSO, LYSO, GAGG, YSO和CsI(Na)阵列来满足不同应用场景和性能要求的需求。
线阵参考图
二维阵列参考图
4-A: 阵列参数: (A,B,C,D参考值)
A.1 材质: 根据用户的需求
A.2 像素大小: 线阵尺寸 A,B,C& 2D 二维面阵的 A, C 可根据用户需求调整
A.3 中心距: 线阵 A+B & 2D 面阵B, D 根据用户需要调整
A.4 隔断间距: 线阵最小 0.1mm 包含胶层 和面阵0.075mm (包含胶层)
A.5 阵列厚度: 根据需要可以提供订制
A.6 晶体表面处理: 抛光,研磨或者其他
4-B: 典型像素尺寸&数量
材料 |
典型值 |
晶条数量 |
||
线阵 |
面阵 |
线阵 |
面阵 |
|
CsI(Tl) |
1.275x2.7 |
1x1mm |
1x16 |
19x19 |
GAGG |
1.275x2.7 |
0.5x0.5mm |
1X16 |
8x8 |
CdWO4 |
1.275x2.7 |
3x3mm |
1x16 |
8x8 |
LYSO/LSO/YSO |
N/A |
1X1mm |
N/A |
25x25 |
BGO |
N/A |
1x1mm |
N/A |
13X13 |
GOS(Tb/Pr) 陶瓷 |
1.275X2.7 |
1X1mm |
1X16 |
19X19 |
4-C: 最小像素尺寸
材料 |
最小像素尺寸 |
|
线阵 |
二维 |
|
CsI(Tl) |
0.4mm 中心距 |
0.5mm 中心距 |
GAGG |
0.4mm 中心距 |
0.2mm中心距 |
CdWO4 |
0.4mm 中心距 |
1mm中心距 |
LYSO/LSO/YSO |
N/A |
0.2mm中心距 |
BGO |
N/A |
0.2mm中心距 |
GOS(Tb/Pr) 陶瓷 |
0.4mm 中心距 |
1mm 中心距 |
反射材料 |
反射层和胶层厚度 |
|
线阵 |
面阵 |
|
TiO2 |
0.1-1mm |
0.1—1mm |
BaSO4 |
0.1mm |
0.1-0.5mm |
ESR |
N/A |
0.08mm |
E60 |
N/A |
0.075mm |
应用场景 |
CsI(Tl) |
GAGG |
CdWO4 |
LYSO |
LSO |
BGO |
GOS(Tb/Pr) 陶瓷 |
PET, ToF-PET |
√ |
√ |
√ |
||||
SPECT |
√ |
√ |
|||||
CT |
√ |
√ |
√ |
√ |
|||
NDT |
√ |
√ |
√ |
||||
包检 |
√ |
√ |
√ |
||||
卡车/集装箱 |
√ |
√ |
√ |
||||
伽马相机 |
√ |
√ |
GAGG和LYSO相对光输出测试,和线阵的相对光输出上机测试。
CsI(Tl)碘化铯晶体阵列
CdWO4钨酸镉晶体阵列
LYSO硅酸钇镥晶体阵列
BGO锗酸铋晶体阵列
GOS阵列
LSO硅酸镥晶体阵列
YSO硅酸钇晶体阵列
LaBr3溴化镧晶体阵列